Contribuez au développement des transistors qui équiperont les systèmes électroniques de demain !
Au CEA-Leti, nous développons les technologies de rupture qui façonneront les futures générations de composants microélectroniques. Au cœur des enjeux européens de souveraineté technologique, nos équipes conçoivent des architectures innovantes permettant d'améliorer les performances, l'efficacité énergétique et l'intégration des circuits destinés à l'intelligence artificielle, au calcul haute performance, aux télécommunications, aux objets connectés, à la santé du futur, aux systèmes de défense.
Technologies micro et nano
CDI
Ingénieur Chercheur device CMOS avancé H/F
Cadre
Vos missions
Au sein d’un environnement scientifique de très haut niveau où vous serez en interaction quotidienne avec des spécialistes reconnus de la microélectronique, de la physique des semi-conducteurs, de la modélisation TCAD et des procédés de fabrication avancés, vous travaillerez sur une vision complète du développement d'un transistor CMOS avancé, depuis sa conception technologique jusqu'à l'analyse détaillée de ses performances électriques.
Vous occuperez une position clé à l'interface entre la technologie, la caractérisation électrique et la modélisation physique des dispositifs. Votre mission consistera à comprendre, analyser et améliorer le comportement des transistors CMOS avancés développés au sein du laboratoire afin d'optimiser à la fois leurs performances et les procédés de fabrication associés.
Pour cela vous serez amené(e) à :
- Exploiter et analyser les résultats de caractérisations électriques issus des lots de wafers développés au laboratoire ;
- Mettre en relation les résultats expérimentaux avec les simulations et modélisations TCAD afin d'identifier les mécanismes physiques limitant les performances ;
- Développer des méthodologies d'analyse et de traitement de données permettant d'extraire rapidement les paramètres clés des dispositifs ;
- Formuler des recommandations pour l'amélioration des procédés technologiques et des architectures de transistors ;
- Participer aux choix technologiques et aux orientations de développement des futures générations de dispositifs CMOS ;
- Collaborer étroitement avec des experts reconnus en intégration, caractérisation, modélisation et procédés microélectroniques.
Au-delà de l'analyse des résultats, vous contribuerez directement à la compréhension physique des dispositifs et à l'amélioration des technologies développées au CEA-Leti.
Votre profil
Ingénieur·e ou titulaire d'un Master 2, éventuellement complété par un doctorat, vous possédez de solides connaissances en physique des semi-conducteurs, en microélectronique et dans le fonctionnement des transistors CMOS.
Votre expérience en recherche ou dans l’industrie, de préférence en R&D, vous a permis d’affiner votre compréhension des interactions entre les différents modules technologiques constituant un transistor avancé et a renforcé votre capacité d'analyse de l'impact des choix de procédé sur les performances électriques du dispositif.
Vous appréciez l'exploitation de données expérimentales et maîtrisez les outils de traitement de données tels que Python, Excel ou des outils équivalents. Des connaissances en simulation ou modélisation TCAD constitueraient un atout important.
Curieux·se et rigoureux·se, vous aimez approfondir les phénomènes physiques et proposer des pistes d'amélioration fondées sur l'analyse scientifique.
Enfin, votre capacité à collaborer avec des experts de haut niveau, à défendre vos analyses avec conviction tout en restant ouvert aux échanges techniques, vous permettra de réussir dans cet environnement exigeant et particulièrement stimulant.
Vous avez encore un doute ?
Nous vous proposons :
- Un environnement scientifique parmi les plus avancés au monde dans le domaine des semi-conducteurs,
- Des projets à fort impact industriel et stratégique pour la France et l’Europe,
- Une montée en compétence rapide auprès d’experts reconnus internationalement,
- Des formations pour renforcer vos compétences ou en acquérir de nouvelles,
- Un équilibre vie privé – vie professionnelle reconnu,
- Un accord de télétravail,
- L’accès à une épargne abondée par le CEA,
- Une prise en charge à 85% de votre abonnement aux transports en commun,
- Une rémunération selon vos diplômes et votre expérience,
- Un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles,
Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes en situation de handicap, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation, rejoignez-nous!
Grenoble
France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)
Anglais (Courant)
01/10/2026

The CEA is the French Alternative Energies and Atomic Energy Commission ("Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives"). It is a public body established in October 1945 by General de Gaulle. A leader in research, development and innovation, the CEA mission statement has two main objectives: To become the leading technological research organization in Europe and to ensure that the nuclear deterrent remains effective in the future.
The CEA is active in four main areas: low-carbon energies, defense and security, information technologies and health technologies. In each of these fields, the CEA maintains a cross-disciplinary culture of engineers and researchers, building on the synergies between fundamental and technological research.
The civilian programs of the CEA received 49% of their funding from the French government, and 30% from external sources (partner companies and the European Union).
The CEA had a budget of 4,3 billion euros.
The CEA is based in ten research centers in France, each specializing in specific fields. The laboratories are located in the Paris region, the Rhône-Alpes, the Rhône valley, the Provence-Alpes-Côte d'Azur region, Aquitaine, Central France and Burgundy. The CEA benefits from the strong regional identities of these laboratories and the partnerships forged with other research centers, local authorities and universities.