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CIFRE - EPITAXIE : Développement de procédés d’épitaxie innovants pour créer de nouvelles opportunités d’architectures de dispositifs semi-conducteurs avancés - F/H

STMicroelectronics  •  Republic of France (Hybrid)  •  2 hours ago
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Job Description


Chez ST, nous croyons à la puissance de la technologie pour stimuler l'innovation et avoir un impact positif sur les personnes, les entreprises et la société. Nous sommes une entreprise mondiale de semi-conducteurs, et notre technologie avancée ainsi que nos puces constituent la partie invisible du monde dans lequel nous vivons aujourd'hui.


Lorsque vous rejoignez ST, vous faites partie d'une entreprise globale de plus de 115 nationalités et présente dans 40 pays, avec plus de 50 000 créateurs et fabricants de technologies microélectroniques à travers le monde ! Tous ensemble, nous formons une seule et même ST.


Développer des technologies nécessite plus que du talent : il faut des personnes incroyables qui comprennent la culture de collaboration et de respect. Il faut des personnes passionnées, et avec l’envie de bouleverser le statu quo, de repousser les limites et de stimuler l'innovation, tout en libérant leur potentiel.


ST a reçu la certification Top Employer France et le label HappyTrainees 2024 qui nous reconnaissent en tant qu’employeur de référence et démontrent notre engagement à placer l’humain au cœur de nos priorités.

A propos de vos missions

Dans le cadre du développement de nouveaux produits, les travaux de recherche porteront sur l’optimisation et le développement de procédés d’épitaxie innovants et leur intégration dans des dispositifs technologiques avancés afin d’en optimiser les performances.

Un focus particulier sera mis sur la compréhension des mécanismes d’incorporation des dopants durant l’épitaxie, afin de garantir un contrôle précis de ceux-ci.

L’étude couvrira plusieurs axes de recherches :

  • Développer des procédés d’épitaxie innovants, les intégrer dans des dispositifs avancés et optimiser les paramètres process selon les performances électriques obtenues.
  • Étudier les mécanismes fondamentaux d’incorporation des dopants (type p et n) lors de l’épitaxie (Si ou alliages à base de Si) sur substrats semi-conducteurs (Si, SOI).
  • Caractériser les effets des conditions de croissance (température, pression, flux des précurseurs) sur la diffusion et l’activation des dopants. Pour cela, des techniques avancées de caractérisation (SIMS, TEM, Sonde Tomographique, C-V profiling, Hall effect) seront mises en œuvre.
  • Modéliser la dynamique d’incorporation et de diffusion des dopants dans les couches épitaxiées pour prédire et optimiser les profils dopants de t0 à la fin du procédé de fabrication.

Afin de réaliser cette thèse, le/la doctorant(e) aura à sa disposition :

  • Un parc de 8 réacteurs RP-CVD d’Applied Materials utilisés pour l’épitaxie.
  • Des techniques de métrologie et de caractérisation physico-chimiques, en interne dans nos laboratoires ou en externe (laboratoires partenaires).
  • Des lots de production ou d’engineering qui embarqueront les structures épitaxiées innovantes.

Le/la candidat(e) sera intégré(e) dans le module Engineering CVD de STMicroelectronics Rousset, plus spécifiquement dans l’équipe Epitaxie comprenant 2 ingénieurs process, 2 ingénieurs équipement, des techniciens process et maintenance.

Il/elle travaillera en collaboration avec les différents ateliers (gravure, diffusion, photo-lithographie, implant, etc), les équipes R&D et Device (qui s’occupent des simulations électriques, de l’intégration dans les dispositifs et des mesures électriques), les équipes de métrologie et de caractérisation physico-chimique, ainsi que les entités Epitaxie et Device de STMicroelectronics Crolles.

La mission requiert de réaliser soi-même les expériences (après formation sur les équipements) et d’être force d’analyse, de proposition et de synthèse.

A propos de vous

  • Diplômé(e) d'une école d'Ingénieur généraliste ou spécialisé, vous avez idéalement des connaissances en physico-chimie des matériaux et/ou micro-électronique.
  • Vous avez une maitrise de l’anglais scientifique.
  • Curiosité technique et scientifique, rigueur, autonomie et engagement vous permettront de réussir dans cette thèse.

Nous encourageons tous les candidats et toutes les candidates, à postuler même s’ils ne répondent pas à tous les critères de l’offre car nous apprécions les profils variés et offrons des opportunités d’évolution et de formation. La diversité, l'équité et l'inclusion (DEI) font partie de la culture de notre entreprise. Notre vision DEI est : « Chez ST, vous pouvez être la vraie version de vous-même », nous valorisons les contributions de chacun et chacune, et avons une tolérance zéro pour toute forme de discrimination.


Nous rejoindre, c'est aussi opter pour un meilleur équilibre entre vie professionnelle et vie personnelle, et un environnement de travail offrant des opportunités égales. Des groupes de ressources dédiés aux femmes, aux LGBTQIA+, des possibilités d’organisation du travail hybrides font partie des nombreuses initiatives qui font de ST un endroit propice pour le développement de votre carrière.


Pour en savoir plus, visitez st.com/careers
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About STMicroelectronics

ST is a global semiconductor leader delivering intelligent and energy-efficient products and solutions that power the electronics at the heart of everyday life. ST’s products are found everywhere today, and together with our customers, we are enabling smarter driving and smarter factories, cities and homes, along with the next generation of mobile and Internet of Things devices. By getting more from technology to get more from life, ST stands for life.augmented.

Industry
Hardware & Semiconductors
Company Size
10,000+ employees
Headquarters
Geneva, CH
Year Founded
1987
Website
st.com
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